每年專案
個人檔案
研究專長
固態照明、發光二極體、半導體材料磊晶成長
經歷
2001/5~2004/5 元砷光電磊晶研發部資深工程師
2004/6~2005/8 元砷光電磊晶研發部副理
2005/9~2008/7 中央大學光電系助理教授
2008/8~2010/7 中央大學光電系副教授
教育/學術資格
PhD, 微電子, National Cheng Kung University
外部位置
指紋
查看啟用 Cheng-Huang Kuo 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 11 已完成
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三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫二：三族氮化物奈米柱結構磊晶成長及奈米柱深紫外光發光二極體研製
Kuo, C.-H. (PI)
1/08/20 → 31/07/21
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1/08/16 → 31/10/17
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P-Type Spin-Coated Sol–Gel Cr2O3Layer by Postannealing in Vacuum
Lai, W. C., Hsu, C. H., Wu, B. T., Chen, P. H., Chang, S. P., Kuo, C. H., Sheu, J. K. & Chang, S. J., 19 8月 2025, 於: ACS Omega. 10, 32, p. 35763-35770 8 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Utilizing low-temperature GaN insertion in p+-GaN and n++-GaN layers as connection layers in GaN-based tandem LEDs
Lai, W. C., Tsai, C. M., Huang, W. P., Lee, C. A., Yang, S. H., Chang, S. P., Kuo, C. H. & Chang, S. J., 8月 2025, 於: Chinese Journal of Physics. 96, p. 266-272 7 p.研究成果: Article › 同行評審
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Effects of Chip Size and Thermally Oxidized AlxGa2-xO3 Sidewall on the Optoelectrical Characteristics of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diodes
Wang, T. Y., Lai, W. C., Xie, Q. J., Chang, S. P., Kuo, C. H. & Sheu, J. K., 24 12月 2024, 於: ACS Applied Electronic Materials. 6, 12, p. 8757-8765 9 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Thermally Oxidized AlxGa2-xO3/n-Al0.6Ga0.4N:Si Unipolar Resistive Random-Access Memory
Wang, T. Y., Lai, W. C., Xie, Q. J., Chang, S. P., Kuo, C. H. & Sheu, J. K., 28 5月 2024, 於: ACS Applied Electronic Materials. 6, 5, p. 3688-3694 7 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
The influences of AlGaN barrier epitaxy in multiple quantum wells on the optoelectrical properties of AlGaN-based deep ultra-violet light-emitting diodes
Wang, T. Y., Lai, W. C., Xie, Q. J., Yang, S. H., Chang, S. P., Kuo, C. H. & Sheu, J. K., 13 2月 2023, 於: RSC Advances. 13, 8, p. 5437-5443 7 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取4 引文 斯高帕斯（Scopus）