每年專案
個人檔案
研究專長
固態照明、發光二極體、半導體材料磊晶成長
經歷
2001/5~2004/5 元砷光電磊晶研發部資深工程師
2004/6~2005/8 元砷光電磊晶研發部副理
2005/9~2008/7 中央大學光電系助理教授
2008/8~2010/7 中央大學光電系副教授
教育/學術資格
PhD, 微電子, National Cheng Kung University
外部位置
指紋
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- 1 類似的個人檔案
網路
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專案
- 11 已完成
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三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫二：三族氮化物奈米柱結構磊晶成長及奈米柱深紫外光發光二極體研製
1/08/20 → 31/07/21
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫二：三族氮化物奈米柱結構磊晶成長及奈米柱深紫外光發光二極體研製
1/08/19 → 31/07/20
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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三族氮化物微米級及奈米級三維光電元件磊晶及製程之研究-子計畫二：三族氮化物奈米柱結構磊晶成長及奈米柱深紫外光發光二極體研製
1/08/18 → 31/07/19
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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Deep ultraviolet algan-based light-emitting diodes with p-algan/algan superlattice hole injection structures
Wang, T. Y., Lai, W. C., Sie, S. Y., Chang, S. P., Kuo, C. H. & Sheu, J. K., 10月 2021, 於: Processes. 9, 10, 1727.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes with magnesium delta-doped AlGaN last barrier
Wang, T. Y., Lai, W. C., Sie, S. Y., Chang, S. P., Wu, Y. R., Chiou, Y. Z., Kuo, C-H. & Sheu, J. K., 21 12月 2020, 於: Applied Physics Letters. 117, 25, 251101.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取12 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Depth enhancement of light field microscopy with fast-response hexagonal liquid crystal micro-lens array
Lin, H. A., Chu, C. Y., Hsieh, P. Y., Huang, Y-P. & Kuo, C-H., 1 1月 2018, 23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016. Society for Information Display, p. 2474-2477 4 p. (23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016; 卷 4).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Depth enhancement of light field microscopy with fast-response hexagonal liquid crystal micro-lens array
Lin, H. A., Chu, C. Y., Hsieh, P. Y., Huang, Y-P. & Kuo, C-H., 1 1月 2016, 23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016. Society for Information Display, p. 1524-1527 4 p. (23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016; 卷 3).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Enabling high-injection current light-emitting diodes prepared on 10-μm-thick GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
Chen, Y. A., Chang, C. W. & Kuo, C-H., 1 9月 2015, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 62, 9, p. 2913-2918 6 p., 7194755.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus）