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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
簡 昭欣
教授
國立陽明交通大學
半導體工程學系
智慧半導體奈米系統技術研究中心
https://orcid.org/0000-0002-6698-6752
h-index
h10-index
h5-index
2300
引文
25
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
492
引文
12
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
277
引文
9
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1993 …
2024
每年研究成果
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2024
173
Article
49
Conference contribution
9
Paper
6
Conference article
3
更多
1
Comment/debate
1
Letter
1
Review article
每年研究成果
每年研究成果
6結果
出版年份,標題
(降序)
出版年份,標題
(升序)
標題
類型
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Conference article
搜尋結果
2008
Electrical and material characterization of atomic-layer-deposited Al
2
O
3
gate dielectric on ammonium sulfide treated GaAs substrates
Cheng, C. C.,
Chien, C.-H.
, Luo, G. L., Chang, C. C., Kei, C. C., Yang, C. H., Hsiao, C. N., Perng, T. P. & Chang, C.-Y.,
27 3月 2008
,
於:
Journal of Physics: Conference Series.
100
,
Part 4
, 042002.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
開啟存取
Gallium Arsenide
100%
Gate Leakage Current
100%
Aluminum Oxide
100%
Frequency Dispersion
100%
Capacitance-voltage
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
Impact of charge trapping effect on negative bias temperature instability in P-MOSFETs with HfO
2
/SiON gate stack
Chen, S. C.,
Chien, C.-H.
& Lou, J. C.,
27 3月 2008
,
於:
Journal of Physics: Conference Series.
100
,
Part 4
, 042045.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
開啟存取
PMOSFET
100%
HfO2
100%
Silicon Oxynitride (SiON)
100%
Gate Stack
100%
AC Stress
100%
2005
Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfO
x
N
y
gate dielectric on Ge substrate
Cheng, C. C.,
Chien, C.-H.
, Chen, C. W., Hsu, S. L., Yang, M. Y., Huang, C. C., Yang, F. L. & Chang, C. Y.,
17 6月 2005
,
於:
Microelectronic Engineering.
80
,
SUPPL.
,
p. 30-33
4 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Electrical Characteristics
100%
Gate Dielectric
100%
Ge Substrate
100%
Post-deposition Annealing
100%
HfOx
100%
15
引文 斯高帕斯(Scopus)
2004
High performance multi-bit nonvolatile HfO
2
nanocrystal memory using spinodal phase separation of hafnium silicate
Lin, Y. H.,
Chien, C.-H.
, Lin, C. T., Chen, C. W., Chang, C. Y. & Lei, T. F.,
2004
,
於:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM.
p. 1080-1082
3 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
High Performance
100%
Non-volatile
100%
HfO2
100%
Nanocrystal Memory
100%
Multi-bit
100%
18
引文 斯高帕斯(Scopus)
2002
Improvement in ferroelectric properties of sol-gel derived SrBi
2
Ta
2
O
9
thin films with seeding layers
Leu, C. C.,
Chien, C.-H.
, Yang, M. J., Yang, M. C., Huang, T. Y., Lin, H. T. & Hu, C. T.,
2002
,
於:
Materials Research Society Symposium - Proceedings.
718
,
p. 189-194
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Sol-gel
100%
SrBi2Ta2O9
100%
Seed Layer
100%
Ferroelectric Properties
100%
Thin Films
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
1998
Characterization of plasma charging damage in ultrathin gate oxides
Lin, H.-C.
, Wang, M. F., Chen, C. C., Hsien, S. K.,
Chien, C.-H.
, Huang, T. Y., Chang, C. Y. &
Chao, T.-S.
,
1 1月 1998
,
於:
Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium).
p. 312-317
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Charge Plasma
100%
Charging Damage
100%
Oxide Thickness
100%
Ultra-thin Gate Oxide
100%
Gate Oxide
100%
13
引文 斯高帕斯(Scopus)