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以原子層沉積技術來製作高品質金屬摻雜於介面層之應用於垂直堆疊式高遷移率鍺通道奈米片電晶體之研究
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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已完成
以原子層沉積技術來製作高品質金屬摻雜於介面層之應用於垂直堆疊式高遷移率鍺通道奈米片電晶體之研究
1/08/21 → 31/07/22
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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以原子層沉積技術來製作高品質金屬摻雜於介面層之應用於垂直堆疊式高遷移率鍺通道奈米片電晶體之研究
1/08/20 → 31/07/21
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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新穎三五族通道與源極/汲極結構之研發與其應用於次14奈米互補式金氧半場效電晶體之製作
1/08/17 → 31/07/18
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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新穎三五族通道與源極/汲極結構之研發與其應用於次14奈米互補式金氧半場效電晶體之製作
1/08/16 → 31/07/17
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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新穎三五族通道與源極/汲極結構之研發與其應用於次14奈米互補式金氧半場效電晶體之製作
1/08/15 → 31/07/16
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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以原子層沉積技術低溫沉積復合阻絕層於二氧化鈦奈米管陣列之高效率、長時間穩定性軟性染料敏化太陽能電池之製作
1/01/13 → 31/12/13
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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