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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
崔 秉鉞
教授
電子研究所
https://orcid.org/0000-0003-2963-8211
h-index
h10-index
h5-index
1891
引文
24
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
430
引文
12
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
183
引文
7
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1989 …
2024
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108
Article
62
Conference contribution
11
Paper
6
Conference article
13
更多
6
Patent
2
Chapter
2
Letter
2
Review article
1
Comment/debate
每年研究成果
每年研究成果
11結果
出版年份,標題
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出版年份,標題
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Paper
搜尋結果
2004
A novel fully self-aligned process for high cell density trench gate power MOSFETs
Tsui, B.-Y.
, Gan, T. C., Wu, M. D., Chou, H. H., Wu, Z. L. & Sune, C. T.,
5月 2004
,
p. 205-208
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Self-aligned Process
100%
On-resistance
100%
Power MOSFET
100%
Trench-gate
100%
High Cell Density
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
High thermal stability metal gate with tunable work function
Huang, C. F. &
Tsui, B.-Y.
,
5月 2004
,
p. 451-454
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Metal Gate
100%
High Thermal Stability
100%
Pt Alloys
100%
Tunable Work Function
100%
Thermal Stability
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Trench gate power MOSFETs with retrograde body profile
Tsui, B.-Y.
, Wu, M. D., Gan, T. C., Chou, H. H., Wu, Z. L. & Sune, C. T.,
5月 2004
,
p. 213-216
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Power MOSFET
100%
Trench-gate
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Channel Length
66%
On-resistance
66%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
1999
Compounding effects of UV exposure, ion bombardment, electron shading and plasma charging in a high density plasma poly etcher
Lin, S. S.,
Tsui, B.-Y.
, Tsai, C. S. & Hsia, C. C.,
9 5月 1999
,
p. 41-44
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Charge Plasma
100%
High-density Plasma
100%
Etcher
100%
Ion Bombardment
100%
Compounding Effect
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
Plasma damage during dielectric etch in high density plasma etcher
Tsui, B.-Y.
, Lin, S. S., Tsai, C. S. & Hsia, C. C.,
1999
,
p. 84-87
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Dielectric
100%
Plasma-induced Damage
100%
Plasma Etcher
100%
High-density Plasma
100%
Dielectrics
100%
1998
Influences of stress on the growth of Ti and Ni silicide thin films on (001)Si
Chen, L. J., Cheng, S. L., Luo, H. M., Huang, H. Y., Peng, Y. C.,
Tsui, B.-Y.
, Tsai, C. J. & Guo, S. S.,
1 12月 1998
,
p. 256-259
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Ni Silicide
100%
Ti Silicide
100%
Thin Films
100%
Silicide
100%
Compressive Stress
75%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
1997
Design rule related defects formation
Hsieh, Y. F. &
Tsui, B.-Y.
,
1 1月 1997
,
p. 138-141
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Defect Formation
100%
Design Rules
100%
Design Rule
100%
Related Defect
100%
Oxide Compound
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Model and solution of reverse short channel effect
Tsui, B.-Y.
, Wang, C. C., Yang, T. Z., Hwang-Leu, S., Lin, G. L. & Wong, S. C.,
1 1月 1997
,
p. 237-240
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Reverse Short Channel Effect
100%
Channeling Implantation
66%
Device Characteristics
33%
Oxide Reliability
33%
Effect Model
33%
Tilt angle effect on optimizing HALO PMOS and NMOS performance
Su, J. G., Huang, C. T., Wong, S. C., Cheng, C. C., Wang, C. C., Huang-Lu, S. &
Tsui, B.-Y.
,
1 12月 1997
,
p. 11-14
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
NMOS
100%
PMOS
100%
Tilt Angle
100%
Angle Effect
100%
Body Effect
100%
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
Tilt angle effect on optimizing HALO PMOS performance
Su, J. G., Wong, S. C., Huang, C. T., Cheng, C. C., Wang, C. C., Huang-Lu, S. &
Tsui, B.-Y.
,
1997
,
p. 33-36
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
PMOS
100%
Tilt Angle
100%
Angle Effect
100%
Body Effect
100%
Current Drive
50%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
1996
Comprehensive study on radiation damage in plasma system
Tsui, B.-Y.
, Liu, S. H., Lin, G. L., Ho, J. H. & Chang, C. H.,
1 1月 1996
,
p. 148-150
.
3 p.
研究成果
›
同行評審
Poly-Si
100%
Oxides
100%
Plasma System
100%
Gate Oxide Integrity
100%
Ion Bombardment
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)