每年專案
個人檔案
研究專長
半導體物理與元件、積體電路製程、電性量測分析
經歷
1992/10~1997/07 工研院電子所身次奈米技術組正工程師
1999/08~迄今 國立交通大學電子工程學系/電子研究所教授
2007/08~2012/07 國立交通大學奈米中心主任
教育/學術資格
PhD, 電機工程, 國立陽明交通大學
外部位置
指紋
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過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
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Huang, H. L., Hsuesh, L. T., Tu, Y. C. & Tsui, B. Y., 2024, 2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures).研究成果: Conference contribution › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
A Recessed Source Contact Technology to Reduce the Specific On-Resistance of Power MOSFET on 4H-SiC
Tsui, B. Y., Hsiao, J. T., Wang, M. H., Hung, C. L., Hsiao, Y. K., Yao, J. N., Chiang, K. H., Ho, C. & Kuo, H. C., 2024, 於: Ieee Electron Device Letters. 45, 10, p. 1930-1932 3 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
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Hsiao, J. T., Hung, C. L., Hsiao, Y. K. & Tsui, B. Y., 2024, Solid State Phenomena. Trans Tech Publications Ltd., p. 145-149 5 p. (Solid State Phenomena; 卷 359).研究成果: Chapter › 同行評審
開啟存取 -
Improving Radiation Hardness of 4H-SiC Power Devices by Local-Oxidation of Silicon Carbide (LOCOSiC) Isolation
Tsui, B. Y., Wang, C. H., Lai, S. H., Shih, C. P., Chen, Q. H. & Chao, D. S., 1 2月 2024, 於: Ieee Electron Device Letters. 45, 2, p. 228-231 4 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Influence of Active Area Etching Method on the Integrity of Gate Oxide on 4H-SiC
Wang, C. H., Lin, L. J., Hung, C. L., Hsiao, Y. K. & Tsui, B. Y., 2024, Solid State Phenomena. Trans Tech Publications Ltd., p. 211-215 5 p. (Solid State Phenomena; 卷 359).研究成果: Chapter › 同行評審
開啟存取