每年專案
個人檔案
經歷
2013/1 ~ 2014/1 博士後職位，物理系，凱克計算實驗室，加州州立大學北嶺分校（CSUN），美國
2014/9 ~ 2017/7 台灣國立清華大學（NTHU）材料科學與工程系博士後職位2017/8 ~ 迄今 台灣國立交通大學國際半導體技術學院助理教授
2017/8 ~ 迄今 台灣國立交通大學國際半導體技術學院助理教授
教育/學術資格
PhD, 固體物理理論, Kazan Volga Region Federal University
外部位置
指紋
查看啟用 Artur Useinov 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 5 已完成
-
Synthesis and Phase Transition of Large-Area Layered Ferroelectric Semiconductor α-In2Se3 via 2D Solid-Phase Crystallization
Hsu, C. P., Useinov, A., Woon, W. Y., Liao, S. & Hou, T. H., 7月 2024, 於: Advanced Electronic Materials. 10, 7, 2300880.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Thermal stability, work function and Fermi level analysis of 2D multi-layered hexagonal boron nitride films
Marye, S. A., Kumar, R. R., Useinov, A. & Tumilty, N., 1 1月 2024, 於: Microelectronic Engineering. 283, 112106.研究成果: Article › 同行評審
5 引文 斯高帕斯（Scopus） -
WKB model of ferroelectric tunnel junctions for memory applications: voltage-dependent screening and electrostriction effects
Jagga, D., De, S. & Useinov, A., 2024, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024).研究成果: Conference contribution › 同行評審
-
Influence of electrostriction and voltage-induced screening effects on the tunnel electroresistance in tunnel junctions with composite ferroelectric barriers
Jagga, D. & Useinov, A., 28 9月 2023, 於: Journal of Applied Physics. 134, 12, 124101.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Magnetic anomalies in polyphthalocyanines with Fe-, Ni- and Co- magnetic centers
Jagga, D., Useinov, A., Korepanov, V. I. & Sedlovets, D. M., 10月 2023, 於: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 154, 115795.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus）