Albert Chin

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2011
High performance charge-trapping flash memory with highly-scaled trapping layer
Chin, A., Tsai, C-Y. & Wang, H., 1 12月 2011, p. 32-35. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
2005
New developments in Schottky source/drain high-k/metal gate CMOS transistors
Li, M. F., Lee, S., Zhu, S., Li, R., Chen, J., Chin, A. & Kwong, D. L., 5月 2005, p. 301-302. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2004
A comparison study of high-density MIM capacitors with ALD HfO ₂-Al ₂O ₃ laminated, sandwiched and stacked dielectrics
Ding, S. J., Hu, H., Zhu, C., Kim, S. J., Li, M. F., Cho, B. J., Chin, A. & Kwong, D. L., 10月 2004, p. 403-406. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2 引文斯高帕斯（Scopus）
A tunable and program-erasable capacitor on Si with excellent tuning memory
Lai, C. H., Lee, C. F., Chin, A., Zhu, C., Li, M. F., McAlister, S. P. & Kwong, D. L., 6月 2004, p. 259-262. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
6 引文斯高帕斯（Scopus）
High performance metal-gate/high-κ MOSFETs and GaAs compatible RF passive devices on Ge-on-insulator technology
Chin, A., Kao, H. L., Yu, D. S., Liao, C. C., Zhu, C., Li, M. F., Zhu, S. & Kwong, D. L., 1 12月 2004, p. 302-305. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
Modeling finger number dependence on RF noise to 10 GHz in 0.13μm node MOSFETs with 80nm gate length
King, M. C., Lai, Z. M., Huang, C. H., Lee, C. F., Ma, M. W., Huang, C. M., Chang, Y. & Chin, A., 20 9月 2004, p. 171-174. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
28 引文斯高帕斯（Scopus）
Modeling RF noise of multi-fingers 0.18-μm node MOSFETS
Liao, C. C., Lai, Z. M., Lee, C. F., Lin, J. T., Yu, D. S. & Chin, A., 9月 2004, p. 6-10. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodes
Zhu, S., Chen, J., Yu, H. Y., Whang, S. J., Chen, J. H., Shen, C., Li, M. F., Lee, S. J., Zhu, C., Chan, D. S. H., Du, A., Tung, C. H., Singh, J., Chin, A. & Kwong, D. L., 10月 2004, p. 53-56. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
Selected topics on HfO ₂ gate dielectrics for future ULSI CMOS devices
Li, M. F., Yu, H. Y., Hou, Y. T., Kang, J. F., Wang, X. P., Shen, C., Ren, C., Yeo, Y. C., Zhu, C. X., Chan, D. S. H., Chin, A. & Kwong, D. L., 10月 2004, p. 366-371. 6 p.
研究成果: Paper › 同行評審
6 引文斯高帕斯（Scopus）
2003
High hole mobility of Al₂O₃ MOSFETSs on dislocation free Ge-on-Insulator wafers
Chin, A., Yu, D. S., Wu, C. H., Huang, C. H. & Chen, W. J., 10月 2003, p. 363-371. 9 p.
研究成果: Paper › 同行評審
The minimum noise figure and mechanism as scaling RF MOSFETs from 0.18 to 0.13 μn technology nodes
Huang, C. H., Chan, K. T., Chen, C. Y., Chin, A., Huang, G. W., Tseng, C., Liang, V., Chen, J. K. & Chien, S. C., 6月 2003, p. 373-376. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
21 引文斯高帕斯（Scopus）
2001
Fast write time and long retention 1T memory
Chin, A., Yang, M. Y., Chen, S. B., Sun, C. L. & Chen, S-Y., 25 6月 2001, p. 18-19. 2 p.
研究成果: Paper › 同行評審
4 引文斯高帕斯（Scopus）
1998
Mobility and oxide breakdown behavior in ultra-thin oxide with atomically smooth interface
Cheng, Y. C., Chen, W. J., Lin, B. C., Tsai, C. & Chin, A., 1 12月 1998, p. 283-286. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1997
Possibility of MMIC on Si: The lossy substrate issue
Chin, A., Prinslow, D., Tsai, V., Nasserbakht, G. & Eklund, B., 1 1月 1997, p. 148-152. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
Ultra-thin oxide with atomically smooth interfaces
Chin, A., Chen, W. J., Kao, R. H., Lin, B. C., Chang, T., Tsai, C. & Huang, J. C. M., 6月 1997, p. 177-181. 5 p.
研究成果: Paper › 同行評審
2 引文斯高帕斯（Scopus）
1994
Enhanced optical and electrical properties in (111)B AlGaAs
Lin, H. Y., Peng, S. C., Wei, F. C., Deng, L. D. & Chin, A., 12 7月 1994, p. 4.4.13-4.4.16. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1987
CONTROLLED-AVALANCHE SUPERLATTICE TRANSISTOR.
Chin, A. & Bhattacharya, P., 1 12月 1987, p. 255-264. 10 p.
研究成果: Paper › 同行評審

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