荊 鳳德

專案

每年專案 2008 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2018 2019 2020 2024

• 1 未開始
• 1 使用中
• 32 已完成

每年專案

搜尋結果

• 使用中

  氧化亞錫P型電晶體

  Chin, A.

  1/08/22 → 31/07/23

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 未開始

  氧化亞錫P型電晶體

  Chin, A.

  1/08/23 → 31/07/24

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 已完成

  氧化亞錫P型電晶體

  Chin, A.

  1/08/21 → 31/07/22

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 高遷移率氧化錫電晶體

  Chin, A.

  1/08/20 → 31/07/21

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-應用於神經元和兆位元的矽基電介質記憶體之研發

  Chin, A.

  1/01/20 → 31/12/20

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 高遷移率氧化錫電晶體

  Chin, A.

  1/08/19 → 31/07/20

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-應用於神經元和兆位元的矽基電介質記憶體之研發

  Chin, A.

  1/01/19 → 31/12/19

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 高遷移率氧化錫電晶體

  Chin, A.

  1/08/18 → 31/07/19

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-應用於神經元和兆位元的矽基電介質記憶體之研發

  Chin, A.

  1/01/18 → 31/12/18

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 低功耗鍺電晶體及快取元件

  Chin, A.

  1/08/17 → 31/07/18

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 低功耗鍺電晶體及快取元件

  Chin, A.

  1/08/16 → 31/07/17

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-新世代非揮發性記憶體之研究與發展

  Chin, A.

  1/01/16 → 31/12/16

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進

  Chin, A.

  1/08/15 → 31/07/16

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 低功耗鍺電晶體及快取元件

  Chin, A.

  1/08/15 → 31/07/16

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-新世代非揮發性記憶體之研究與發展

  Chin, A.

  1/01/15 → 31/12/15

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進

  Chin, A.

  1/08/14 → 31/07/15

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺俄(RU)國合計畫-新世代非揮發性記憶體之研究與發展

  Chin, A.

  1/01/14 → 31/12/14

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 鍺電晶體之費米能階鎖定及介面反應的探討與改進

  Chin, A.

  1/08/13 → 31/07/14

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 學研合作計畫-次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(3/3)

  Chin, A.

  1/08/13 → 31/07/15

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台俄國合計畫-互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性

  Chin, A.

  1/01/13 → 31/12/13

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 學研合作計畫－次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(2/3)

  Chin, A.

  1/08/12 → 30/11/13

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台俄國合計畫-互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性

  Chin, A.

  1/01/12 → 31/12/12

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台日國合計畫-高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件

  Chin, A.

  1/01/12 → 31/12/12

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 學研合作計畫-次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(1/3)

  Chin, A.

  1/08/11 → 31/07/12

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 下一世代鍺基板電子元件(3/3)

  Chin, A.

  1/08/11 → 31/07/12

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台俄國合計畫-互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性

  Chin, A.

  1/01/11 → 31/12/11

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台日國合計畫-高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件

  Chin, A.

  1/01/11 → 31/12/11

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(3/3)

  Chin, A.

  1/08/10 → 31/10/11

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 下一世代鍺基板電子元件(2/3)

  Chin, A.

  1/08/10 → 31/07/11

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 台日國合計畫-高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件

  Chin, A.

  1/01/10 → 31/12/10

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 下一世代鍺基板電子元件(1/3)

  Chin, A.

  1/08/09 → 31/07/10

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(2/3)

  Chin, A.

  1/08/09 → 30/11/10

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 金屬閘極及高介電係數介電質材料在奈米電子元件的應用(3/3)

  Chin, A.

  1/08/08 → 31/07/09

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(1/3)

  Chin, A.

  1/08/08 → 30/11/09

  研究計畫: Other Government Ministry Institute