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2018
2019
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2022
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2024
2025
74174
引文
104
h-指數
2236
Article
1723
Conference contribution
390
Patent
185
Conference article
321
更多
108
Paper
73
Editorial
46
Chapter
45
Review article
25
Book
12
Comment/debate
5
Letter
3
Foreword/postscript
2
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1
Abstract
1
Poster
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每年研究成果
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Letter
搜尋結果
2003
Effect of substrate biasing on Si/SiGe heterostructure MOSFETs for low-power circuit applications
Li, P.-W.
, Liao, W. M., Shih, C. C., Kuo, T. S., Lai, L. S., Tseng, Y. T. & Tsai, M. J.,
7月 2003
,
於:
Ieee Electron Device Letters.
24
,
7
,
p. 454-456
3 p.
研究成果
:
Letter
›
同行評審
Substrate Effect
100%
Circuit Application
100%
Low Power Circuits
100%
SiGe Heterostructures
100%
Heterostructure FET
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
High-performance Pt/SrBi
2
Ta
2
O
9
/HfO
2
/Si structure for nondestructive readout memory
Chien, C.-H.
, Wang, D. Y., Yang, M. J., Lehnen, P., Leu, C. C., Chuang, S. H., Huang, T. Y. & Chang, C. Y.,
9月 2003
,
於:
Ieee Electron Device Letters.
24
,
9
,
p. 553-555
3 p.
研究成果
:
Letter
›
同行評審
High Performance
100%
HfO2
100%
SrBi2Ta2O9
100%
Si Structures
100%
Nondestructive Readout
100%
25
引文 斯高帕斯(Scopus)
RF characterization of metal T-gate structure in fully-depleted SOI CMOS technology
Lam, S., Wan, H.,
Su, P.
, Wyatt, P. W., Chen, C. L., Niknejad, A. M.,
Hu, C.-M.
, Ko, P. K. & Chan, M.,
1 4月 2003
,
於:
Ieee Electron Device Letters.
24
,
4
,
p. 251-253
3 p.
研究成果
›
同行評審
CMOS Technology
100%
Gate Structure
100%
FDSOI
100%
T Gate
100%
RF Characterization
100%
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
2002
Application of field-induced source/drain Schottky metal-oxide-semiconductor to fin-like body field-effect transistor
Lin, H.-C.
, Wang, M. F., Hou, F. J., Liu, J. T., Huang, T. Y. & Sze, S. M.,
1 6月 2002
,
於:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters.
41
,
6 A
,
p. 626-628
3 p.
研究成果
:
Letter
›
同行評審
Field-effect Transistors
100%
Field-induced
100%
Metal Oxide Semiconductor
100%
Schottky Metal
100%
Subthreshold Slope
100%
13
引文 斯高帕斯(Scopus)
Enhanced substrate current in SOI MOSFETs
Su, P.
, Goto, K. I., Sugii, T. &
Hu, C.-M.
,
5月 2002
,
於:
Ieee Electron Device Letters.
23
,
5
,
p. 282-284
3 p.
研究成果
:
Letter
›
同行評審
SOI MOSFET
100%
Substrate Current
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
SOI Devices
50%
Prediction Model
25%
18
引文 斯高帕斯(Scopus)