電漿輔助化學氣相沉積系統

設備/設施: Equipment

  • 地點

    固態電子系統大樓 1樓 116實驗室

    Taiwan

設備詳細資料

Description

重要規格: (1) 可使用晶圓尺寸 : 破片至4吋. (2)單腔體 : Chamber溫度300°C. (3) 使用的氣體包括:N2O、NH3、CF4、SiH4+Ar、N2等,可提供低溫之SiO2及Si3N4等薄膜沈積
服務項目: (1)成長SiO2及Si3N4等薄膜
設備相關照片

詳細資料

名字Samco Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)
擷取日期1/07/98
生產商 Samco Inc.

指紋

探索使用此設備的研究領域。這些標籤是根據相關成果而產生。共同形成了獨特的指紋。