Po-Tsun Liu (Inventor)
Research output: Patent
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TY - PAT
T1 - 一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體
AU - Liu, Po-Tsun
PY - 2017/4/21
Y1 - 2017/4/21
M3 - Patent
M1 - I579974
ER -